2005年2月22日
东芝公司今天，Sandisk Corporation标志着在东芝的Yokkaichi运营中，通过传统的仪式和招待会完成了先进的晶圆制造设施。预计新工厂将在CY2005的下半年在最初的时间表上线，并在300mm晶圆上产生NAND闪光记忆。
响应对NAND的不断增长的需求，NAND是一种多功能的非易失性存储器，用于广泛的数字电子设备，东芝和Sandisk，NAND闪光内存开发和生产中的战略合作者，于2004年4月启动了Fab。到2007年3月底，这款称为Fab 3的新工厂预计将接近2700亿日元（约合26亿美元）。FlashPartners，Ltd。，Toshiba-Sandisk Venture于2004年9月成立，由东芝拥有50.1％Sandisk的49.9％将资助要安装在Fab 3中的先进制造设备。2020欧洲杯下注官网
东芝公司公司副总裁兼东芝半导体公司的总裁兼首席执行官Masashi Muromachi先生在评论新设施时说：“我们很高兴完成这款新的最先进的Nand Flash Fab的建设我们认为，从2004年到2008年，NAND市场将看到NAND市场的年增长率超过30％，从7000亿日元至21亿日元，我们预计将看到大约200％的年度存储容量增长。我们的位存储容量增长。我们。预计新的工厂将确保我们对日益强大的市场中对更高密度NAND闪光的需求的反应。”
Sandisk Corporation总裁兼首席执行官Eli Harari博士说：“我很荣幸今天代表Sandisk参加这项Milestone活动。Fab3是Toshiba和Sandisk之间关系成功的证词，这是两家高度创新的公司Sandisk率先开发了闪光技术，该技术能够在消费电子和移动市场中进行许多新应用。Sandisk表示我们致力于扩大东芝和日本的NAND生产的承诺。我们期待着共同努力Fab 3在本十年的下半年作为竞争激烈，领先的制造工厂发挥了全部潜力。”
预计300mm-wafer Fab将在CY2005的下半年开始产量，并计划在2005年下半年将产量迅速增加到10,000瓦金饼。然后，将根据市场需求而扩大产能，每月最多40,000瓦金蛋白到CY2007的上半年。预计在东芝和砂岩之间，每个阶段的输出都将平均共享。该工厂仍然有扩大容量的空间，进一步的投资可能会使产出每月高达62,500瓦夫。
在生产初创企业时，新设施将采用由东芝和Sandisk共同开发的90纳米工艺技术技术。300mm-wafer Fab将在CY2006上半年的70nm流程迁移到原始时间表，此前是在2005年现有的Yokkaichi 200mm-wafer中首次使用70nm Process Technology NAND闪存的质量生产。300mm。Fab还计划基于CY2006后期基于55 nm工艺技术的大规模生产NAND闪存。
具有环境意识的设计将减少新清洁室中二氧化碳和全氟化合物的排放，而晶圆处理中消耗的能量的排放量将比东芝当前的200mm晶圆清洁室低30％。
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