2005年3月3
Soitec组,厂家的绝缘体(SOI)晶片和其他工程基质半导体制造业,宣布了一项技术突破使用其专有的智能削减™layer-transfer和键合技术。
公司产生了世界上第一个单晶、薄膜氮化镓(GaN)绝缘substrate-representing关键一步的发展使高性能的蓝色和白色发光二极管(led),以及为提高当前和未来的设备性能在射频(RF)和离散功率应用程序。
这个关键的里程碑与Picogiga国际密切合作,实现了一个Soitec集团部门专注于复合半导体材料的开发和生产解决方案,和发生在智能启用应用程序实验室(SCEALAB)。Soitec集团之间的联合技术开发项目和法国研究财团CEA-Leti, SCEALAB开发新成立,实验复合基质。Soitec智能切割技术的研究小组使用的分裂和转让一层薄薄的甘从一个高质量的氮化镓捐赠者晶片到载波wafer-generating单晶GaN-on-insulator衬底。
根据卡洛斯·马祖尔Soitec集团首席技术官”,这项研究是在非常密切合作与我们III-Vs材料部门,Picogiga国际计划工业化新技术的一个关键组成部分Soitec扩展其技术开发战略的努力结合智能切割与Picogiga外延技术。内部利用多种技术至关重要的能力为世界复合材料提供全面改造衬底的解决方案,并使我们能够利用智能削减作为工程师的“工具箱”新基质硅之外。”
今天,GaN开发过程是基于生长的氮化镓外延层体积基质,如硅、碳化硅和蓝宝石。射频功率设备和大容量市场蓝色和白色发光二极管将经验技术限制的权力或亮度,需要新的技术解决方案。通过创建GaN-on-insulator基质与高质量的氮化镓水线以上部分,Soitec为该行业提供了一个突破性的解决方案,提高活动的质量和性能甘外延层。智能削减提供能力优化基质的机械和热性能——独立于上部活跃层,因此最适合成为工业标准成本效益,体积GaN-based晶圆制造。
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