2010年12月15日
据台湾的一组研究人员称，地球上最稀有的金属之一可能是未来闪存芯片继续提高速度和密度的极好选择。
“将铱的纳米晶体掺入闪存设计的临界浮栅部分中，显示出优异的存储器性能以及加工此类半导体器件的高温中的稳定性，”台湾中心的研究团队负责人说：Wen-Shou Tseng工业技术研究所测量标准。研究结果出现在杂志的物理信函中，由美国物理研究所发表。他的同事包括附近的国家柴永大学和钟华大学的学生和教授。
这个团队选择铱——一种坚硬、致密、耐腐蚀的金属，属于铂族，是地壳中发现的最稀有的金属之一——因为不同于大多数替代品，它有两个我们想要的特性:铱具有很强的电子承载能力(它具有高的“工作功能”，这是众所周知的与优秀的记忆性能相关的特性)，其近2500摄氏度的熔点远远超过了许多芯片在制造过程中必须承受的900摄氏度的退火温度。幸运的是，每个栅极只需要十亿分之一克的铱。
世界各地的研究人员正在研究改进流行的闪存的新方法。闪存是一种非易失性的存储芯片，几乎在所有的数码相机和移动电子产品中使用，而且越来越多地用于笔记本电脑的固态硬盘。未来闪存存储更多数据和读写速度更快的最简单方法是缩小现有芯片设计的尺寸，包括浮动门。但是今天的栅极设计已经进步到不能再小很多的地步，在它不能再保留实际存储数据的电荷之前。纳米晶体被认为是一种相当简单的改变，它可以在不改变经过验证的浮门设计的情况下提高存储芯片的性能。
近年来，已经研究了许多不同的金属以纳米晶体潜力。例如，镍和钨分别具有吸引力，高功函数和热稳定性。但他们和其他元素缺乏所需的属性。实际上，这是罕见的，伊诚表示，铱星都是所需的品质。
来源：http://www.itri.org.tw/