Dow Corning加入GaN半导体材料的工业R + D程序欧洲杯足球竞彩

道康宁已正式执行协议，以进入GaN半导体材料和设备技术的IMEC多合作伙伴工业研发计划。欧洲杯足球竞彩该计划侧重于开发下一代GaN电力设备和LED。道康宁和IMEC之间的合作将集中于将GaN Epi技术在硅晶片上带到制造规模。

由于卓越的电子迁移率，较高的击穿电压和良好的导热性能，GaN / Aigan异质结构为下一代功率和RF器件提供了高开关效率，而基于硅（Si）的电流装置相比。SI基板上的高质量GaN ePI层的过程是获得优于功率和RF器件的关键。需要精确控制EPI-生长过程，以掌握基板弓，外延层缺陷和均匀性，同时保持高EPI反应器吞吐量，以降低整体技术成本。IMEC在2至6英寸衬底尺寸的蓝宝石，SiC和Si基板上开创了GaN Epi-Granges，目前专注于在8英寸Si基板上开发GaN ePI层。利用规模和高产量和高容量8英寸Si晶片的过程技术的经济性将进一步降低GaN设备和LED的成本。

作为SIC晶片和外延的领先生产商，道康宁正在利用其电子材料技术和质量供应能力，使下一代材料技术为全球设备制造商带来。欧洲杯足球竞彩我们与客户密切合作，在整个价值链中开发创新解决方案。“通过加入IMEC GAN隶属计划，Dow Corning将用高品质和实惠的GaN Epi-Wafers迅速扩展其基材产品组合，用于电力，RF和LED市场，”汤姆康宁化合物半导体解决方案汤姆ZOES说。

道康宁也是铁杉半导体组的主要股东，其是多晶硅和其他用于制造半导体器件和太阳能电池和模块的多晶硅和其他基于硅的产品的领先供给者。

“我们很高兴欢迎康宁作为我们的GAN隶属计划的合作伙伴。在我们的多伙伴环境中与IMEC的外延和设备研究人员合作创造了将这项技术带到市场的强劲势头，”副总裁副总裁Rudi Cartuyvels说IMEC技术。