2005年3月24日
东芝公司今天宣布了一种称为DTMOS的新型功率MOSFET，它采用了一种新的超级结结构，能够将导通电阻（RDSON）引起的功耗降低到传统MOSFET通常达到的值的40%左右。DTMOS系列中的第一个设备TK15A60S，主要用于电视机、家用电器、交流适配器和镇流器照明的电源。东芝今天开始运送新型MOSFET的样品，并将于2005年4月开始生产。
超级结结构具有垂直路径，允许电流在硅衬底上轻易流过，实现了低于硅理论极限的RDSON。通过应用这种超级结结构并优化整个器件，与东芝的传统MOSFET相比，东芝DTMOS器件中相同面积的RDSON实现了60%的降低，其栅极电荷（Qg）实现了40%的降低。因此，RDSON*Qg（见注1）是MOSFET的一个重要性能指标（越小越好），是该公司传统MOSFET的四分之一。
东芝宣布将超级结结构与公司原有的深沟MOSFET（DTMOS）技术相结合。这是市场上首次采用超级结结构结合深沟技术。该系列中的第一台设备，命名为TK15A60S，最大额定值为15安培（A）和600伏（V），导通电阻为0.3欧姆，将于2005年3月开始采样。
近年来，随着消费电子产品的小型化和功耗的降低，降低功率mosfet中的RDSON成为提高其功率效率的目标。为了应对低功耗的需求，东芝正在将一种利用DTMOS技术的新产品商业化，该技术可以提高电源的效率。东芝成功地开发了DTMOS，因为它拥有广泛的功率MOSFET器件和开发专业知识和器件技术。
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