基于GAN的硅（SI）的外观外观非常具有挑战性，因为GAN和Si之间的热不匹配，这会在冷却后引起极端的拉伸应力。对于此类应用Laytec的Epicurvett是精确的原位应变工程的首选工具。德国玛格德堡奥托隆格里克大学（OVG）的Alois Krost教授和他的团队应用了该工具，通过使用锗（GE）作为N型植物代替SI来开发一种新的应变工程方法。
该图显示了两个不同掺杂的GAN/SI样品上的曲率测量。LT-Aln Interlayer生长后的向下斜率表明压缩应力。随着添加Si作为掺杂剂，斜率反转（实线），Si掺杂会导致拉伸应力和在冷却样品裂纹期间。但是，在GE掺杂的情况下，曲率斜率保持不变（虚线），并且样品保持不含。
与Si掺杂相比，Ge掺杂GAN的光致发光光谱显示出双倍的发光强度。这证明了大约的良好材料质量。1.6“厚的木结构。
根据OVG大学的Armin Dadgar的说法，“用替代掺杂剂涂涂木的想法很古老。但是现在，使用混合掺杂剂的应变控制和工程，Epicurvett为Gan/Si设备应用提供了新的冲动。“
