2005年4月20日
Cree，Inc今天宣布，由雷神公司（Raytheon）领导的一支由雷神公司（Raytheon）领导的团队，克里（Cree）作为分包商，已在其广泛的带盖普（Bandgap）半导体技术计划下赢得了国防高级研究项目局（DARPA）的计划奖。该小组将开发军事和商业产品的下一代氮化甲酯（GAN）半导体。该计划的重点是从2006年开始加速进度，并针对将GAN插入军事和商业计划。成立了Cree-Raytheon团队，以结合美国两个总理GAN RF团队的努力，以使美国更快地开发开发。满足系统需求。
CREE高级设备执行副总裁John Palmour表示：“该计划与Cree的策略完全一致，不仅要成为军队的供应商，而且还与各种商业应用一起成为供应商。同样的改进将使GAN组件对军事系统插入可行，我们认为也将使它们可行，可插入蜂窝基础设施以及其他新兴的无线应用。将我们的努力与雷神公司结合起来，旨在加快这项重要的促成技术的潜在部署。”
如果行使所有计划期权，这项为期三年，2690万美元的Cree-Raytheon计划的潜在价值为5,940万美元。在这笔款项中，该计划奖考虑了三年的努力将分包给Cree的1100万美元，如果所有选项都行使了总计2450万美元。Cree has been developing GaN-on-silicon carbide (SiC) RF devices since 1996. The semiconductor work for this program will be conducted at Raytheon RF components (Raytheon’s MMIC foundry) in Andover, Massachusetts and in the Wide Bandgap MMIC foundry of Cree, Inc. in Durham, North Carolina, as well as in Cree’s Santa Barbara Technology Center in Goleta, California.
http://www.cree.com