2005年5月11日
宾夕法尼亚州立大学和飞利浦研究者各自方法的最佳特性合并,产生一个新的数学模型,描述了MOS晶体管的行为在一个广泛的集成电路中发现的大多数电子设备从电脑到电子表通信系统。
某些电路只能模拟准确使用的新方法,称为PSP模型,包括被动混合器中使用手机增加电池寿命和流动比率基础电路用于模拟到数字转换器。
此外,PSP具有更好的射频能力比现有的模型和准确地预测晶体管行为频率远高于50兆赫。
教授博士Gennady Gildenblat电气工程,使PSP宾夕法尼亚州立大学发展。他说,“制造集成电路是昂贵的和改善他们的试验和错误费用大大增加。准确的模型,提供详细的数学描述为工程师提供机会做科学工程和第一次就做对”。欧洲杯线上买球Gildenblat will detail PSP in an invited talk, "Introduction to PSP MOSFET Model," at the Nanotech 2005 International Conference, May 10, in Anaheim, Ca. His co-authors are X. Li, H. Wang and W. Wu, electrical engineering graduate students at Penn State, and R. van Langevelde, A. J. Scholten, G. D. J. Smit and D. B. M. Klaassen, Philips Research Laboratories, The Netherlands.
PSP模型表面势的关键变量之间的接口中的硅和二氧化硅晶体管。由于PSP是基于这个物理变量,它得到更好的预测比是可能的集成电路的行为选择模型,特别是当设备小型化或操作的限制,开发人员说。
模型,如PSP,数学方法描述晶体管,用于电路模拟器。例如,PSP一直在测试一个模拟的被动混合器,意外困难Gildenblat等人最近才完成的问题。此外,PSP验证对测量晶体管从不同的制造商,包括那些用最新的技术。
PSP模型的所有细节都在互联网上可用的。飞利浦SIMKit软件允许PSP与许多流行的直接耦合电路模拟器。
说到宾夕法尼亚州立大学/飞利浦合作,德克·克拉森博士,研究员飞利浦研究,说:“我们的合作汇集了最基本的学术和实用的工业知识和技能紧凑的建模。它直接关系我们的深刻理解的物理行为MOS晶体管集成电路的需求上,设计师和应用领域最相关。”
PSP是提交给紧凑模型标准化委员会(CMC)作为候选人。安理会代表27个主要的半导体公司,使用模型。标准化委员会选择候选人基于其成员的技术需求。中央军委定于今年晚些时候为CMOS晶体管选择一个新模型。
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