从市场不断增长的需求后LayTec现在提供了一个新的EpiTT版本提供三个同时反射测量。EpiTT 3 w现在更复杂的原位生长的研究化合物半导体器件组成的材料,而宽带边缘可以执行。欧洲杯足球竞彩
图1所示。一个典型AlGaInP / GaInP双hetero-structure生长砷化镓Tobias通常用于测试目的。
托拜厄斯从伊势Roesener弗莱堡是第一个客户使用EpiTT 3 w。他正在III-V增长在未来太阳能电池硅应用CRIUS金属系统。
托拜厄斯说:“633 nm和950 nm的反射率测量已经对我们很有帮助。现在的405 nm反射率测量就我而言我更敏感的表面形态。特别是它让我更好的监测等薄层表面形态进化GaInP后只有50到100海里(参见图1)。633海里反射率测量是完全适合GaInP增长控制。我们在这个波长确定增长率低于100纳米厚的层。反射在950 nm厚层间更适合。”He added that for growth of Germanium layers, the application of the 950nm signal is extremely useful. For homo-epitaxial growth of Germanium under different growth conditions (temperature, pressure, gas flows) the growth rate and the decomposition of the source materials can be derived in-situ in one single epitaxial process. "This saves me a lot of development time!" he stated.
405 nmn能否EpiTT 3 w配备,633 nm和950 nm反射率作为标准,因此非常适合于所有三世/ P和III-Nitride流程。新的3 w选项当然是用于LayTec´s EpiCurve TT系统和所有现有EpiTT双胞胎TT和EpiCurve TT系统领域可以装修现场!
如果你有兴趣进一步EpiTT 3 w信息请联系:(电子邮件保护)。