2005年5月19日
日立化学有限公司。将扩大其生产能力的化学物质平面化(CMP)泥浆由2005年6月,大约30%用于浅槽隔离(STI)的过程,是一种半导体元件隔离方法。
CMP过程的抛光和平滑不均匀表面生成的元素为半导体隔离和circuit-forming流程。CMP浆料是一种抛光溶液用于该应用程序。STI是一个元素的隔离方法,电隔离的数百万半导体元素放置在硅片上。因为STI适合做更好的模式,它已成为主要的方法从180纳米左右的设计规则占了上风。然而,它需要一个整平与CMP过程,因为它导致circuit-forming差距的过程。抛光划痕CMP加重过程引起的收益率,他们必须进一步减少到安全的提高可靠性和允许发展更好的设计规则,如130纳米和90纳米。
日立化成商业化CMP浆料产品采用氧化铈(CeO2)颗粒物质在1998年;欧洲杯猜球平台自那以后,增加了其STI的销售主要应用gflatness”是最关键的因素,利用产品的特性,允许用更少的划痕抛光速度快。在2004财政年度,该公司还商业化,已经增加了销售产品的高性能CMP浆料能够实现减少三分之二的STI抛光划痕和双重的改善平面度在现有水平。
加强其生产能力,公司将投资约5亿日圆,添加另一个生产线的山崎作品(Katsuta)(在Hitachinaka-shi,茨城县)在2005年6月。这项投资将增加当前CMP浆料产品的生产能力,包括高性能CMP浆料STI,每年30%至约2600吨。
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