它已经成为一个好Laytec传统：2011年11月29日和30日Laytec在日本东京和纳戈亚举行了私人研讨会。
在两个不同的方向（蓝色：平行于GAN条纹，红色：垂直于GAN条纹）的原位曲率测量和在条纹GAN/void结构上GAN生长过程中的温度测量。
提出了针对多种应用以及产品新闻的新的原位测量方法。
东京大学的Sugiyama教授报告了INGAAS/GAASP多量子井（MQW）的成功应变补偿，并使用Epiras和Epicurve TT用于GAAS上的新型太阳能细胞应用。有趣的是，H2- INGAAS表面的拟合和随后的AS-/p稳定直接影响所得的MQW结构的大量应变。他澄清说，在TMGA气流重新启动GAASP井生长之前，必须至少有3秒钟的TBA和TBP流量。仅使用该技术运行，MQW生长后显示出完全平坦的晶圆。
Mie大学的Miyake教授通过控制条纹图案的gan缓冲液的过度生长在蓝宝石晶状体上呈现高水晶质量的gan2掩蔽。通过使用Epicurve TT计量系统对晶片的各向异性，非球形弓的精确控制，使用GAN帽层的这种GAN条纹玻璃层的过度生长优化了。
Laytec AG的Yuto Tomita博士提出了最后但并非最不重要的GAN曲率工程示例。
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Laytec要感谢所有演讲者的出色演讲以及他们的合作伙伴Marubun的大力支持。