作为研究的一部分,提高复杂metal-high-k门堆栈未来逻辑器件imec已经证明成功higher-k介质替代金属门(metal-gate-last)晶体管,实现一个门泄漏减少200 - 1000 x相比尖端逻辑设备HfO2 high-k闸极介电层。
通过深入流程优化的努力,imec实现紧密的电子分布到门的长度到20 nm为了处理替代金属门为纳米级设备的过程控制和可伸缩性。imec的研究提供了基本的了解,功函数的影响引起的金属混合aggressively-scaled金属大门,因此处理重大的可变性来源在先进的晶体管。介绍研究结果发表在VLSI技术研讨会在檀香山,夏威夷。
自扩展的三维晶体管FinFETs 14 nm和超越等积极地发生,几个晶体管特性预先对尺度的10 - 100年代的原子。imec的最先进的物理分析实验室进行广泛的研究,在先进的计量和物理分析。imec的能力,用一种创新的原子探针断层扫描方法允许掺杂剂分布在纳米FinFETs原子级分辨率。
除了进行深远的研究改善的可伸缩性FinFETs和先进门堆栈,imec也集中于高机动通道晶体管。imec展示了前所未有的pMOS与锗硅量子井设备性能在VLSI技术研讨会。这些设备具有潜力来提高晶体管性能优于目前年代strained-Si技术。这些结果imec的主要研究项目的结果在CMOS技术,与关键合作伙伴计划,包括索尼、富士通、SK海力士,尔必达,台积电、三星、松下、微米、英特尔和GLOBALFOUNDRIES。
来源:http://www2.imec.be