世界领先的纳米电子学研究机构Imec和利用碳纳米管(CNTs)开发下一代半导体器件的纳米技术企业Nantero公司宣布了共同开发计划。此次合作将重点关注Nantero公司开发的基于碳纳米管的内存NRAM™，以及其在20nm以下高密度下一代内存中的应用。NRAM阵列将在imec先进的纳米电子设备中制造、测试和表征。
碳纳米管存储器基于碳纳米管，“CNT”，圆柱形碳分子横跨纳米且高达毫米长，这表现出非凡的强度，电气性质独特，有效的热传导，使碳纳米管成为未来高度有希望的材料记忆
imec首席执行官Luc Van den hove表示:“在回顾了Nantero及其制造合作伙伴迄今为止的进展后，我们认为这种基于cnt的非易失性存储器对于下一代高容量存储器具有多种非常有吸引力的特性。”“通过与Nantero合作，在这一领域发挥领导作用，我们将能够为我们的成员企业带来实质性的利益。”
Nantero已经在CMOS生产环境中制造了高产量的4Mb NRAM阵列，具有几个重要的性能优势:写入速度已被证明可达3纳秒;续航能力预计是无限的，迄今为止已经测试超过一万亿次，具有低运行功率和优越的高温保持。
“一起，Nantero和IMEC可以开发和展示这种形式的内存，以便将来的应用程序以低于20nm，例如T比级记忆阵列和超快速千兆位非易失性缓存记忆，”IMEC的首席技术官的CTO注释说，“NRAM HOLDS在积极明确的承诺缩放非易失性存储器应用，如果我们能证明适当的耐力和速度规格，NRAM甚至可以提供所面临超越18nm的比例限制DRAM的替代“。
“Nantero很高兴能与imec合作，”Nantero的联合创始人兼首席执行官Greg Schmergel表示。“Nantero已经在与世界领先的制造商合作，与imec的合作将使这些努力将碳纳米管存储器推向市场的速度更快。”
来源:http://www2.imec.be/