2005年7月12日
Aviza技术公司。和SEZ集团，后者是半导体行业单晶片湿法处理解决方案的市场领导者和主要创新者，今天宣布，他们将联手解决围绕下一代IC制造的ALD薄膜去除的关键挑战。根据一项联合开发协议，两家公司打算利用他们的专业知识，开发ALD应用中使用的先进薄膜的沉积和去除解决方案，主要集中在晶圆背面和斜边。
经济特区全球新兴技术总监Leo Archer博士表示:“随着半导体器件的日益复杂，背面和斜边薄膜去除在集成电路制造过程中发挥着越来越重要的作用。“我们与Aviza的合作将是互惠互利的，因为我们都在处理90纳米以下节点的复杂薄膜沉积和去除方面处于有利地位。通过开发、表征和精炼ALD膜去除工艺，我们可以为客户提供他们需要的解决方案，以应对先进制造挑战。”
退火条件通常决定与背面和斜边膜去除过程相关的复杂程度。随着结晶水平的增加，退火膜需要定制配方和化学方法，以确保适当的去除，同时保持膜性能的完整性和减少交叉污染，从而提高产量。由于其复杂的组成，用于45纳米高-κ栅介质的高级膜——如氧化铪(HfO)、硅酸铪(HfSiO)、硅酸氧氮化铪(HfSiO/N)以及钌(Ru)等金属——在这些膜去除阶段面临更大的挑战。目前面临的挑战是有选择地从晶圆片的背面和斜边去除这些材料造成的污染，并在正面使用受控的包覆层，以防止交叉污染和颗粒的产生。欧洲杯足球竞彩这可能会导致设备性能、薄膜分层、光刻问题，最终导致设备成品率问题。选择性是重要的，因为它并不总是有利的或可能去除太多的底层衬底材料，无论是硅，氧化物或氮化物。过度蚀刻会消除必要的扩散屏障，影响晶圆的平坦度和均匀性。
经济特区的自旋处理器技术为这类工艺提供了优势，因为它允许一个有图案的晶圆面朝下在专利的伯努利吸盘上处理。此外，组合卡盘、化学分配器系统和腔室允许高度控制的包围到晶圆片的正面，以预定的距离。
Aviza Technology ALD欧洲杯足球竞彩产品管理总监Jon Owyang表示:“ALD应用材料和工艺的开发是加速ALD路线图和推动ALD采用的关键。”“Aviza正在不断评估和开发先进的胶片，以补充下一代制造工艺。通过与经济特区的合作，我们打算利用我们的核心专业知识，为我们的客户开发先进的制造和工艺解决方案，以满足背面微量材料和背面颗粒水平的要求。”欧洲杯足球竞彩