2005年7月12日
材料系统公司。INOVA NExT是全球半导体行业在先进沉积、表面制备和化学机械平化工艺方面的生产力和技术领导者，今天宣布推出INOVA NExT，这是一种用于45纳米及以上铜屏障/种子应用的300毫米金属化系统。作为Novellus成功的INOVA平台的扩展，INOVA NExT采用了先进的物理气相沉积(PVD)技术、离子诱导原子层沉积(iALD)和一系列广泛的制造创新，进一步提高了全球领先半导体公司已经证明的基准生产率。
INOVA NExT改进了缺陷性能、可服务性、用户友好性，并减少了预防性维护(PM)时间。单靶空心阴极磁控管(HCM) PVD技术已经扩展到45nm节点。阻挡层的不均匀性、侧壁的不对称性和蚀刻-沉积比都得到了改善，而铜种子层的悬垂度更低，侧壁覆盖范围更大，使45纳米结构得以填充。对INOVA NExT进行了所有这些增强，同时保持了HCM的简单性和生产价值。这与竞争的电离PVD技术相反，后者的腔室明显更复杂，导致可制造性问题。
除了PVD腔，INOVA NExT平台还可以集成iALD腔。iALD的氮化钽(TaN)薄膜取代PVD TaN作为铜的阻挡层，由于薄膜的高度共形和超薄特性，提供了线电阻的降低。Novellus的专利iALD TaN工艺沉积的导电膜的电阻率小于300微欧姆-厘米，相比之下，热ALD工艺沉积的是绝缘体。导电阻挡层对于易于集成到铜互连线是至关重要的，同时证明了与超低k (ULK)介质的兼容性。iALD工艺也可用于沉积其他金属，如钌和铜，使全iALD铜屏障/种子。多个iALD TaN模块已交付给领先客户。
“通过INOVA平台的成功，我们继续在PVD业务中建立市场势头。到2005年底，我们预计300毫米INOVA客户的数量将比2004年初增加两倍。”Novellus综合金属业务部副总裁兼总经理Rao Mulpuri博士说。“HCM技术现在进入了第五代45nm的应用。除了降低技术转型的额外资本支出，HCM的可扩展性允许我们的客户保留关键流程学习。iALD技术为45纳米以上的窄线宽器件提供了独特的技术能力，我们对这项技术的潜力感到兴奋。”
据Gartner Dataquest预测，PVD系统的市场在2005年将达到每年12亿美元左右。INOVA NExT的铜版在2005年第一季度开始出货。铝和其他应用将在2005年第四季度过渡到INOVA NExT。完整的INOVA NExT工具套件将使Novellus能够满足先进逻辑、闪存、ASIC和DRAM制造商转向45nm及以上节点时对铜和铝的需求。