Imec宣布,它已经开发出一种超薄混合浮栅与展示功能细胞。结果,发表于本周的会议2012年IEEE国际电子设备(美国旧金山IEDM, 12月10 - 12,2012),是一个重要的一步NAND Flash技术的进一步扩展到10 nm一半音高节点和超越。
TEM的超细混合浮置栅极(HFG) high-k国米闸极介电层(IGD)扩展Flash扩展超出1 x节点。
对高密度闪存的日益增长的需求推动了技术的扩展到19 nm音高节点目前生产的一半。然而,从这些维度上,控制门(CG)可以不再缠绕在浮栅(FG),敦促平面浮栅结构。但planarising技术导致减少耦合的CG和FG。因此,通过辅助极介电性能降低由于泄漏(IPD)。为了恢复在平面设备性能,imec已经开发了一个混合浮置栅极(HFG)架构具有较低的功函数底部材料和高材料功函数。中演示的功能已成功集成细胞。此外,限制细胞细胞干扰发生在一个高密度NAND数组,imec缩减混合浮栅的厚度只有4海里。
Jan Van Houdt imec闪存项目主管:“闪存是最先进的技术在所有移动设备,包括手机、数码相机、u盘、MP3播放器和平板电脑,固态硬盘。解决这类设备的内存容量需求爆炸,imec推动当前的Flash技术的路线图。我们兴奋地展示了这个功能超薄混合浮栅电池技术,作为我们的合作伙伴的支持解决方案闪存10 nm和规模进一步增加内存容量的下一代移动设备”。
这些结果与imec的关键记忆伙伴合作英特尔、微米,三星、SanDisk、东芝和SK海力士。
来源:http://www2.imec.be/