在本周的IEEE国际电子设备会议(2012年IEDM), imec解决关键挑战的比例超出silicon-channel finFETs。Imec显示通道流动可以促进细胞的增长非国际频道应变放松缓冲区(SRB),并演示了出色的可伸缩性技术的潜力。此外,imec透露有关门上的独特的氧化影响捕获堆栈移动在高机动通用电气和III-V频道。
没有一个高度绝缘界面阻挡层(如二氧化硅),运营商的频道可以直接与边界陷阱high-k (BT)。
逻辑设备技术,该行业之前使用锗硅源/漏压力提高Si通道流动。然而,这个过程是达到其可伸缩性限制由于布局相关的缺陷。IEDM 2012, imec展示了出色的可伸缩性向1 nm / 10 nm和7 nm节点Ge-channel FinFETs通过硅鳍替代过程。Imec的迁移率也显著提升(至少50%)当局部应变增长75%通用频道在锗硅放松缓冲区,而紧张的Si渠道(*)。
而最近的工作导致氧化物半导体界面陷阱密度的减少III-V和通用电气金属氧化物半导体设备,imec提出新的运营商额外的捕获的证据,即这些非国际设备的门电介质。第一次imec显示氧化的不利影响对设备性能边界陷阱。Imec的研究显示,near-interface (fast)氧化物陷阱可以探索使用AC-gm (AC跨导)技术。浅(fast)氧化物陷阱被认为是负责非国际MOSFET开态频率相关跨导。违反频率不变前提,可以发布在电路级的一个重要问题。Imec也映射出缓慢边界陷阱high-k电介质使用TSCIS(陷阱电荷注入和遥感光谱)技术。Imec证明了慢的收费陷阱high-k介质,导致阈值电压漂移。结果,一个非常低的超速档电压预测(通用电气/ 212 mv, InGaAs / 255 mv,也是规范的~ 1/3 Si) 10终身的设备。与氧化物边界陷阱电荷互动朝着非国际设备时仍然是一个挑战。
“每一代新技术产品,挑战是巨大的。和imec总是想出解决办法延长摩尔定律,“亚伦中国农历新年庆祝活动之前更换灯笼内提到的,导演在imec逻辑程序。“移动向14 nm节点上,我们相信,我们将面临的挑战,找到解决方案。我们正在调查高机动通道材料,比如通用电气和III / V化合物,专注于两个主要的挑战欧洲杯足球竞彩就是如何实现非国际材料的设备架构以及如何克服一些大门的基础物理堆栈钝化有关。”
这些结果与imec的关键合作伙伴在其核心CMOS程序:Globalfoundries,英特尔,微米,松下,三星,台积电,尔必达,SK海力士,富士通,东芝/ Sandisk,和索尼。
来源:http://www2.imec.be/