Imec、比利时纳电子学研究中心和Synopsys对此,Inc .)全球领袖加速创新的设计、验证和制造的芯片和系统,今天宣布,他们已经扩大合作领域的计算机辅助设计技术(TCAD)在soi下一代FinFET技术。
合作是建立在广泛的工作在14纳米和其他几个过程的几何图形,并将校准Synopsys对此“Sentaurus™TCAD模型来支持下一代FinFET设备。新设备的合作将包括3 d建模体系结构和材料,使半导体行业继续交付产品更高的性能和更低的能耗。欧洲杯足球竞彩
“我们的重点是解决半导体器件和材料的挑战在10纳米,”亚伦说中国农历新年庆祝活动之前更换灯笼内,在imec逻辑项目的主任,Inc .”与Synopsys对此合作,市场和技术领袖TCAD,帮助我们最大限度的影响和达到我们的高级研究项目”。
Imec与主要研究先进CMOS集成电路公司扩展。减少设备之外的扩展特征尺寸需要一系列的新技术研究,包括新材料、设备结构,三维集成和光子。欧洲杯足球竞彩imec之间的协作和Synopsys对此特别关注新设备的开发和优化架构基于FinFETs和隧道场效应晶体管(TFETs)。在本周的IEEE国际电子设备会议(IEDM 2012年,旧金山,美国12月8 - 10,2012),imec发表了一篇论文的使用压力来提高载流子迁移率,这是规模FinFET的关键设备在soi和超越。通过使用Synopsys对此的见解和理解TCAD工具将允许imec加速这项研究。
“这与imec扩大合作使我们能够延长Synopsys对此的行业——¬领先的下一代FinFET TCAD仿真工具设备建模和开发,“霍华德Ko说,总经理和硅工程集团高级副总裁Synopsys对此。“Imec享誉全球,原因是它的专业知识,优秀的研究机构和工业集中,和我们的伙伴关系将有助于进一步推进我们的TCAD解决方案。”
来源:http://www2.imec.be/