2005年7月18日
在过去的几年里，半导体电路的特性已经缩小到100纳米(nm)以下的尺寸，而构建这些电路的薄硅片的尺寸已经从200毫米(mm)增长到300毫米(约12英寸)。这样做的回报是用更少的晶圆生产更高的成品设备。
然而，困难的部分是使晶圆大幅度地变大，同时满足更高的质量控制规格。“打印”纳米电路的光学和材料要欧洲杯足球竞彩求所使用的晶圆完全平坦，厚度均匀。为了帮助半导体行业实现其2010年质量控制路线图目标，美国半导体学会的研究人员美国国家标准与技术研究所最近开发了一种新仪器，可精确测量300毫米晶圆片的厚度差异，重复性极佳，可达5纳米。研究人员希望该工具经过进一步改进后，能够为工业中测量晶圆厚度的“主晶圆”建立一种新的校准服务。
NIST的研究人员将在7月下旬的一次技术会议上介绍这种仪器，即改进的红外干涉仪，简称IR3。像所有的干涉仪一样，IR3使用交叉光波来产生干涉图样，而干涉图样又可以被用作测量纳米尺度尺寸的尺子。大多数干涉仪使用红色激光，而IR3使用红外激光。与可见光不同的是，这些长得多的波长可以直接穿过硅片。这意味着IR3可以照亮300毫米晶圆的顶部和底部，并在一次通道中生成详细的厚度差异空间图。传统的工具需要旋转晶圆并在多个位置进行测量。
NIST的研究人员对晶圆的折射率进行精密测量，这是正确解释干涉图样的关键一步。折射率指的是光通过晶圆时“弯曲”的程度。在新仪器能够测量厚度的“绝对”而不是相对差异之前，必须提高折射率测量的精度。
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