SI对GAN增长的挑战（111），尤其是对于LED增长而言，是众所周知的，同时可控制的。
由于高拉伸应力的结果，可以防止冷却的辅助层裂纹，并通过复杂的层层增强晶体质量。全球众多机构已经在使用LaytecEpicurve®TT具有高质量GAN设备在大型硅基板上的高级曲率分辨率。
现在，这种体验已转移到SI（001）和SI（110）上的增长，因为基于GAN的电力电子可以轻松地与Si Standard Electronics（CMOS）集成，并且可提供高达300 mm的大尺寸。
Otto-Von-GuerickeUniversitätMagdeburg（德国）在国际氮化物半导体的国际研讨会上（日本，2012年10月），报道了SI（001）上GAN HEMT结构的高性能（001），该结构具有高度优化的室内室内套件，以控制应力和缺陷密度和缺陷密度的密度和缺陷密度密度。[1]。
根据亨尼格先生的说法，Epi-Curve®TT的原位增长监测对他们的应变工程非常有帮助。图1显示了温度（红色）和高级分辨率曲率（黑色）测量，图2-三个波长的反射率测量。在633 nm（蓝色）和950 nm（红色）的曲率与曲率的平滑发育相关的633 nm（蓝色）和950 nm（红色）处的明显明显的Fabry-Perot振荡显示出GAN的高质量。此外，在中间层的生长过程中，当温度下降时，可以观察到曲率的增加（图1）。
三个组合的反射信号有助于确定增长率并调整生长参数。此外，405 nm反射率（图2 -黑色）还提供了有关结构界面质量的信息。
Otto-Von-Guericke大学和其他使用Laytec的原位工具进行硅应用的工作表明，通过高级曲率监测与多个波长反射率相结合，GAN/SI的质量可以显着提高。Laytec很荣幸能成为从SI（111）中的技术转移到LED增长到Power Electronics的SI（001）和SI（110）的一部分。