Imec检测的结果和PVA Tepla突破TSV空洞在3 d堆叠集成电路技术。后扫描声学显微镜应用于临时晶片(de)焊接检验,他们成功地使用了新的先进GHz山姆技术检测TSV空洞wafer-level TSV镀铜。在一起,他们将继续调查的适用性高频扫描声学显微镜的无损检测亚微米空白。
最初合作的焦点是开发计量旨在检测孔洞临时晶片键合后,允许适当的返工3 d晶片。临时晶片(de)键和细晶片处理仍然是3 d堆叠集成电路技术的挑战。的发展在临时焊接过程中界面颗粒和孔隙有不利影响随后的晶片稀释欧洲杯猜球平台过程步骤,影响晶片稀疏性能以及长期稳定性和性能的工具。PVA Tepla和imec已经开发了一个自动foup-to-foup wafer-level过程基于200 mhz扫描声学显微镜使用Tepla AutoWafer 300工具(SAM)。
演示后无损检测界面粒子和空洞,imec使用PVA Tepla的高分辨率能力GHz频率山姆工具成功地探测空洞的tsv 5µ欧洲杯猜球平台m直径和50µm深度、镀后立即。未来的工作将集中在进一步精炼过程和实现GHz山姆能力增加空间检测分辨率。此外,imec和PVA Tepla将调查的适用性GHz山姆检测亚微米孔隙TSV和调查其他方面相关的3 d技术,如撞连接质量。