艾克斯特龙公司今天宣布，该公司因其最新开发的aixg5+硅上氮化镓（GaN-on-Si）反应器获得2013年化合物半导体制造奖。
Frank Schulte博士，AIXTRON（右侧），从CS杂志的Richard Stevenson处获得该奖项
该奖项表彰围绕芯片制造过程的关键创新领域，从研究到完成设备，重点关注推动行业向前发展的人员、流程和产品。
《化合物半导体》（CS）杂志的编辑理查德·史蒂文森（Richard Stevenson）昨天（2013年3月4日）将该奖项颁发给了艾克斯特龙的欧洲副总裁弗兰克·舒尔特（Frank Schulte）博士在德国法兰克福举行的CS欧洲展颁奖典礼上，他评论说：“硅上技术有望彻底改变电力电子，大幅削减LED的成本，从而引发照明革命。”我认为在推动这两个变化方面发挥主要作用的一个制造工具是aixtronaixg5+，它是一种将高通量与令人印象深刻的均匀性结合在一起的反应堆。”
AIXTRON SE首席技术官Andreas Toennis评论道：“我们在GaN的硅技术领先优势上取得了成果，我们非常高兴我们的成就通过这个享有盛誉的奖项得到了化合物半导体行业的认可。AIXG5+反应堆专门设计用于在硅上生产GaN基器件，与蓝宝石衬底上的工艺相比，不会影响性能或产量。”
Frank Schulte博士补充道：“GaN-on-Si是未来电力电子应用和高亮度LED制造的一项非常有前景的技术。”。
aixg5+设计用于在每次生产运行中处理5个200mm晶圆，从而在大面积衬底上提供GaN器件的高吞吐量和高产量增长。