2005年7月27日
Veeco仪器和Picogiga国际,一个部门的Soitec集团(泛欧交易所,巴黎)今天宣布,他们已经进入联合发展项目(JDP)旨在促进氮化镓(GaN)在硅技术以满足新兴市场的需求。利用Picogiga的领导在工程基质和化合物半导体,连同Veeco的分子束外延(MBE),共同努力将加速GaN-on-silicon基质的批量生产商业化到广泛的高端无线应用程序。
根据协议,两家公司将团队创建第一个工业反应器优化MBE使用Picogiga专利GaN-on-silicon的过程。速度这一努力,工程师在GaN Picogiga国际将分享他们的专业知识技术与MBE Veeco MBE的专家系统。最初的工作将在Veeco流程集成中心圣保罗,明尼苏达州。完成后,新的GEN200™系统将交付和安装在莱斯变成Picogiga的生产设施,France-enabling公司生产6英寸GaN-on-silicon epi晶片。
首席运营官根据jean - luc Ledys Soitec Picogiga部门,本协议的目的是为GaN-on-silicon基质成为竞争解决方案等无线设备的新一代高电子迁移率晶体管(HEMTs)。“加速生产优质GaN-on-silicon基质,我们可以确保客户获得所需的体积量使新兴设备无线基础设施和其他高速应用。”
的高级副总裁迪克·Wissenbach Veeco化合物半导体,评论说:“机会GaN-on-silicon说明了MBE Veeco力量的发展。Veeco GaN-based设备的庞大的生产知识,MBE silicon-style生产平台的设备和流程集成中心的发展和能力的能力使这一个完美的匹配。2020欧洲杯下注官网”Wissenbach补充道,“我们的流程集成中心,安装基础的MBE GEN200系统和内部团队的专家设计承受制造商快速硬件测试,过程开发和桥梁的能力。”
近年来,GaN-on-silicon已经显示出巨大的希望针对无线射频和微波组件产业,特别是HEMTs用于大功率射频应用程序。GaN增加这些设备的输出功率,而硅提供了更好的导热系数,降低采购成本和更大的直径比传统氮化镓晶片基板。通过结合的氮化镓材料的性能优势和成本优势的大面积硅,Picogiga可以帮助确保GaN-based基质的商业可用性越来越多的设备和应用程序。
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2005年7月27日发布