先进的临时焊接解决方案3 d TSV半导体封装ECTC 2013年首次亮相

半导体行业迈向更广阔的3 d IC集成重要里程碑本周在2013年电子元器件和技术会议(ECTC),一个先进的报告新的临时焊接解决方案3 d Through-Silicone-Via (TSV)半导体包装。突破ECTC期间推出的3 d材料和Processingsession Ranjith约翰时,材欧洲杯足球竞彩料开发和集成工程师道康宁,发表了一篇论文由道康宁,全球领先的硅树脂,硅技术和创新,并弄MicroTec,半导体加工设备的领先供应商。2020欧洲杯下注官网

,名为成本低、室温Debondable旋转临时焊接解决方案:2.5 d / 3 d IC的重要推动者,包装,细节的发展双层自旋对临时焊接解决方案,不需要专门的设备晶片预处理使键或晶片后处理脱胶。2020欧洲杯下注官网因此,它大大增加了吞吐量的临时键/脱胶过程帮助降低总拥有成本。

“这事先强调为什么道康宁价值观协同创新。我们先进硅经验结合SUSS MicroTec知识渊博的领导层在加工设备,我们能够建立一个临时焊接解决方案,满足了所有TSV制造过程的关键性能标准。2020欧洲杯下注官网重要的是,自旋coat-bond-debond合著的论文中我们详细过程不到15分钟,进一步提高的空间,”约翰说。“基于这些结果,我们相信,这项技术贡献的重要一步大批量生产2.5 d和3 d IC叠加。”

2.5 d和3 d IC集成提供巨大的潜力减少微电子设备的形式针对下一代通讯设备,同时提高他们的电和热性能。划算的临时焊接解决方案这一先进技术的关键推动者bondingtoday超薄活跃设备晶片为随后的变薄和厚航母晶片TSV形成。然而,为了竞争,candidatetemporary焊接解决方案必须提供一个匀胶厚外套,并能够承受机械、热、化学TSV制造的过程。此外,他们必须随后脱胶活跃,承运人晶片在不损害高附加值制造设备。

通过他们的协作,道康宁和发现MicroTec能够开发一个临时焊接解决方案,满足所有这些应用程序需求。组成的胶粘剂和释放层,道康宁硅基材料优化的双层旋转涂布简单加工和焊接过程。结合SUSS MicroTec设备,总解决方案提供了简单2020欧洲杯下注官网的结合使用标准的制造方法的好处。在他们共同发表论文,合作者报告解决方案展示总厚度变化小于2µm spin-coated电影在200年或300毫米晶圆。粘接材料表现出强烈的化学稳定性暴露在磷酸、硝酸、有机溶剂和其他化学品熟悉TSV捏造。此外,粘接解决方案和双晶片显示良好的热稳定性,当暴露在300°C的温度普遍TSV过程。

道康宁是建立在历史悠久的硅基半导体包装创新和协作。减压从死密封剂,胶粘剂密封和焊接热界面材料的性能和可靠性,道康宁的行之有效的全球基础设施确保可靠的供应,质量和支持,不管你在哪里。欧洲杯足球竞彩

引用

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  • 美国心理学协会

    道康宁。(2019年,09年2月)。先进的临时焊接解决方案3 d TSV半导体封装ECTC 2013年首次亮相。AZoM。检索2022年7月16日,来自//www.wireless-io.com/news.aspx?newsID=36951。

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    道康宁。“先进临时焊接解决方案3 d TSV半导体封装在ECTC 2013”。AZoM。2022年7月16日。< //www.wireless-io.com/news.aspx?newsID=36951 >。

  • 芝加哥

    道康宁。“先进临时焊接解决方案3 d TSV半导体封装在ECTC 2013”。AZoM。//www.wireless-io.com/news.aspx?newsID=36951。(2022年7月16日通过)。

  • 哈佛大学

    道康宁2019。先进的临时焊接解决方案3 d TSV半导体封装ECTC 2013年首次亮相。AZoM,认为2022年7月16日,//www.wireless-io.com/news.aspx?newsID=36951。

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