2005年8月15日
IBM宣布其第四代硅锗铸造技术的可用性,名叫8惠普,超过2 x上一代的性能。新的130纳米(纳米)硅锗(锗硅)双极互补金属氧化物半导体(BiCMOS)铸造技术可以减少移动消费产品的成本,推进高带宽无线通讯,帮助支持创新的应用,如汽车防撞雷达。
随着8惠普、IBM提供更低的成本变化(8 wl)专门针对无线应用程序可以支持更长的电池续航时间和增加功能手机为了帮助扩散无线局域网络和全球定位卫星(GPS)技术。
“硅锗技术越来越影响下一代消费设备和应用程序,”伯尼Meyerson说,IBM首席技术专家系统与科技集团。“IBM在1989年通过了技术允许芯片设计者提高计算机的性能。多年来,锗硅彻底改变了无线产业通过提供一个高容量硅技术。第四代的锗硅将继续启用无线连接在一个日益全球化的规模。”
IBM是世界上第一个铸造提供锗硅BiCMOS技术和自1995年以来,已经运送成千上万的锗硅设备。CMOS芯片数字计算应用的基础,而硅锗(锗硅)BiCMOS芯片提供增强的射频通信和模拟功能除了核心数字计算能力。
IBM的130纳米锗硅BiCMOS新技术应用产品包括:
- 新兴汽车安全系统,包括雷达24 GHz攻其不备检测和77 GHz的碰撞警告或先进的巡航控制。
- 60 GHz无线芯片,为下一代无线个人区域网络和骨干网络。
- 手机的软件定义无线电信号从天线直接转换成数字形式。单片机可以应用在多个标准和各种全球移动网络传输语音、数据和视频信号。
- 高速A / D和D / A转换器的数据采集、direct-to-baseband无线电接收器、信号合成等等。
“美国泰克锗硅早期访问与IBM合作近十年,并最早采用者之一的锗硅产品。锗硅5 hp和7的惠普技术在美国泰克的产品使得世界一流的投资组合,获奖产品,”副总裁戴夫•布朗说,中央工程,美国泰克。“我们的关系与IBM已成功由于他们的技术模型的一致的质量,流程和文档的质量以及与我们合作的人”。
在130纳米(一米的130/1000000000),IBM的锗硅BiCMOS新技术提供更高的性能,更低的功率比目前的180纳米锗硅和高水平的集成产品。技术维护兼容IBM的特定于应用程序的集成电路(ASIC)技术平台,使铸造客户端口范围广泛的知识产权电路模块和标准单元库的元素。130海里铸造平台还包括一个射频CMOS技术的选择,给IBM铸造客户广泛的射频技术选择和混合信号的应用。
“塞拉整体选择了IBM的SiGe8HP技术等要求应用程序仅超高速光纤组件,高性能数据转换器和60 ghz宽带无线收发器,”查尔斯·哈珀说,主席,塞拉铁板一块。“IBM领导行业锗硅技术使我们的设计师与产品进入市场的第一个前所未有的性能。我们兴奋的新性能政权和应用空间之后,我们可以用这个下一代。”
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