东芝公司今天宣布，它将在日本MIE，yokkaichi运营中扩展其第5个半导体制造设施（FAB 5），以确保使用下一代流程技术和未来3D制造的NAND闪存记忆的制造空间记忆。
艺术家的Fab留下5
FAB 5第二阶段建设将于今年8月底开始，并在明年夏天完成。设备投资和生产的决策将反映2020欧洲杯下注官网市场趋势。
Yokkaichi操作目前有三个Fabs批量生产NAND闪存，包括Fab 5阶段1. Fab 5的施工计划在两个阶段左右进行，其中首先是2011年7月开展运行。仔细考虑产品供需平衡后，并注意到通过对智能手机需求的需求增长，SSD为企业服务器和其他新申请的需求而导致的恢复，现在预计进一步的媒体至长期的市场扩张，并认识到展开FAB 5的时间是正确的。
除了使用公司的最新过程技术制造的未来几代NAND闪存的能力外，TOSHIBA还将使用FAB 5阶段2用于生产预计未来几年越来越多的应用程序的3D存储器。延期将允许公司提高竞争力，并提高其对技术进步和市场需求的响应能力。
FAB 5相2将具有自动化产品运输系统和偏见吸收结构，并将设计为最小化环境载荷。预计与FAB 4相比，LED照明和最新的节能生产设施以及充分利用废热的储存耗材，预计将通过13％切割CO2排放量。
展望未来，东芝将通过及时投资，在先进的过程技术领导和建立新一代记忆来支持市场需求的新一代记忆的发展，提高竞争力。
来源：http://www.toshiba.co.jp/