IMEC.已经开发了一种基于锰（MN）的自成形屏障（SFB）工艺，可显着提高电阻电容（RC）性能，通过高级互连的电阻和可靠性。它提供优异的附着力，薄膜保形性，内在阻挡性能和降低的线抵抗力。该技术铺设了朝向互连Cu金属化进入7nm节点的方式。
基于MN的屏障沉积
通过连续互连缩放，每单位长度的导线电阻增加，对器件性能（RC）产生了有害的影响。此外，当用常规阻挡层减小尺寸时，观察到增加的铜（Cu）横截面积的损失，导致高电阻并降低互连寿命（电迁移和时间依赖性介电击穿 - EM和TDDB）。为了克服这些互连金属化问题，在缩放超出1X技术节点时，IMEC在高级互连技术上的研发程序探讨了新的障碍和种子材料以及新型沉积和填充技术。欧洲杯足球竞彩基于MN的SFB被证明是未来互连技术的有吸引力的候选者。在模块级，基于MN的SFB导致RC益处的40％增加40％，与传统屏障和良好的寿命性能（可与TAN / TA参考相当）相比，效果为40nm半间距。
这些结果是与IMEC在其核心CMOS计划中的关键合作伙伴合作，英特尔，Micron，Panasonic，三星，TSMC，Elpida，SK Hynix，Fujitsu和Sony的关键合作伙伴合作。
IMEC在2013年7月9日至11日的Semicon West展品。要了解有关IMEC及其新的低温蚀刻方法的更多信息，请访问南方大厅1741。