2013年7月12日
Microsemi公司半导体解决方案的领先供应商差异化的能力,安全性、可靠性和性能,今天宣布下一代650伏特的可用性(V) non-punch通过不扩散核武器条约》(NPT)绝缘双极晶体管(igbt),门提供45,70 a和95 a电流评级。
Microsemi的新条约IGBT产品族设计操作在严酷的环境下,尤其适合于工业产品,如太阳能逆变器、焊工和开关模式电源。
Microsemi的新电力设备提高效率提供业内最好的损失比最接近的竞争对手的IGBT performance-approximately 8%。《不扩散核武器条约》还igbt启用极高的切换速度高达150赫兹(赫兹),这是进一步提高晶体管搭配Microsemi的碳化硅(SiC)随心所欲的二极管。这些前沿650 v NPT igbt允许开发人员系统总成本减少更换更昂贵的600 v到650 v mosfet低速度应用到150千赫。
所有的设备在下一代650 v系列产品是基于Microsemi先进的功率MOS 8™技术和利用先进的晶片变薄的过程。这使得显著减少总开关损失,使设备的运行方式以令人难以置信的快速交换频率相比,竞争力的解决方案。与公司的丰富的文化遗产大功率,高可靠性的市场,Microsemi希望扩大其在IGBT市场份额,从现在的36亿美元增长到60亿年的2018美元,根据最近的一份报告来自Yole开发署。
《不扩散核武器条约》igbt易于并行(Vcesat正温度系数)改善可靠性高电流模块。设备也短路承受额定(SCWT),提供可靠运行在恶劣的工业环境。
IGBT产品可用在很多包包括- 247 t值和模块。学习或多或获得一个样本,联系当地经销商或Microsemi销售代表,或电子邮件(电子邮件保护)。额外的生产信息发布www.microsemi.com。
来源:http://www.microsemi.com