2013年7月24日
SuVolta, Inc.是一家开发低功耗高性能IC芯片的可扩展半导体技术的公司，今天宣布在使用SuVolta晶体管技术的ARM Cortex-M0处理器上实现了显著的处理器速度提升和相关的功耗降低。
ARM Cortex-M系列处理器采用SuVolta的深度耗尽通道™(DDC)技术，采用65nm大块平面CMOS DDC工艺。通过SuVolta的晶体管技术，设计人员能够根据设计要求显著降低功耗或显著提高性能。
ARM处理器部门战略和营销副总裁Noel Hurley表示:“ARM的传统是基于低功耗的，因此可以进一步提高功耗的技术，如SuVolta的DDC技术，将一直受到ARM和我们的合作伙伴的欢迎。”SuVolta已经证明，当将DDC技术集成到ARM处理器中时，可以提供额外的功耗降低或显著的性能提升。随着物联网的不断扩大，用于传感器和其他设备的创新超低功耗技术对于确保ARM保持在这一机遇的前沿至关重要。”
与常规65nm工艺生产的相同ARM Cortex-M0处理器相比，在1.2V供电电压下，基于DDC晶体管的ARM实现在0.9V下运行，证明了以下优点:
- 在匹配的350MHz运行速度下，总功耗降低50%。
- 在匹配的功率下增加35%的操作速度(性能)。
- 在匹配的电源电压下，工作速度提高55%。
SuVolta数字设计高级主管David Kidd解释说:“通过将ARM Cortex-M0 cpu与SRAM实例和各种模拟组件相结合，我们已经验证了DDC技术在复杂SoC中的优势。“结果不言自明——功耗性能优化的CPU核，结果可以在不同的工艺角和温度下保持，另外，SRAM的最低运行电压降低150mV，匹配SRAM读取电流时泄漏功率减少50%，在保持模式下泄漏功率减少5倍以上。”
SuVolta总裁兼首席执行官Bruce McWilliams表示:“降低功耗和提高性能是为各种先进数字产品提供下一代能力的关键。“通过验证包含ARM处理器的SoC中DDC技术的速度功率优势，我们达到了另一个重要的里程碑，证明了我们的技术在系统中的价值。”
“通过与顶级无晶圆厂半导体公司和代工商的合作，我们继续在先进节点验证我们的技术，”McWilliams继续说道。
来源:http://www.suvolta.com/