Imec,纳电子学研究中心,今天宣布它已经成功发布了第一个III-V化合物半导体FinFET设备集成的外延在300毫米硅晶圆,通过一个独特的硅鳍替代过程。
未来成就说明进展300毫米和450毫米大容量晶圆制造先进的异类互补金属氧化物半导体设备,单片集成高密度复合半导体硅。突破不仅使持续的CMOS按比例缩小到7海里和下面,但也使新的混合CMOS-RF和CMOS-optoelectronics异构系统的机会。
“据我们所知,这是世界上第一个功能CMOS兼容III-V FinFET 300 mm晶圆加工设备,”声明一个Steegen,高级副总裁在imec核心CMOS。“这是一个激动人心的成就,展示了当前最先进的技术是一种可行的新一代的选择Si-based FinFET技术在高容量生产。”
智能移动设备的普及,越来越多的用户对带宽和连接,将推动不断需要软件和硬件的进步,从网络扩展到数据服务器和移动设备。硬件将新工艺的核心技术,允许增加更多的低功耗CMOS晶体管和集成,实现更高层次的功能。这提示过程技术,使异构设备生成目标电路操作范围,最大限度地提高系统性能。
亚伦中国农历新年庆祝活动之前更换灯笼内,逻辑研发主任imec评论道:“在过去的十年中,晶体管扩展,几个跳跃过程技术提供性能和能力改进。成功地大门的替代high-k金属门在2007年的45纳米CMOS技术代表的主要变形新材料集成的晶体管。能够结合了非硅和硅设备可能会成为下一个戏剧性的晶体管翻新,打破近50年的all-silicon统治数字CMOS。这项工作是一个重要的使一步这新范式”。
在最好的谷物,协整的高密度异构晶体管受到了结合不同材料和结构的能力,同时保持足够低的复杂性和defectivity。欧洲杯足球竞彩Imec的突破过程选择性取代硅鳍与铟砷化镓(InGaAs)和铟phospide(输入),容纳近百分之八的原子晶格不匹配。这项新技术是基于长宽比捕获的晶体缺陷,槽结构,外延过程创新。结果III-V集成硅FinFET设备上显示了优良的性能。
Imec的执行研究下一代FinFETs imec的核心CMOS计划的一部分,在imec的关键合作伙伴包括英特尔、三星、台积电,Globalfoundries,微米,SK海力士,东芝、松下、索尼、高通、阿尔特拉,富士通,nVidia和Xilinx。