2005年9月15日
克里族有限公司已获得一份价值1500万美元的合同由国防部第三章计划,这是由美国空军研究实验室(AFRL)。在新的五年合同,克里族将重点推进碳化硅(SiC)微波单片集成电路(MMIC)处理技术生产碳化硅MMICs过渡到100毫米(4英寸)每个芯片基板和降低成本。这些MMICs可以显著提高新一代军用雷达系统的信息采集功能。克里族贡献额外的470万美元的计划项目总资金为1970万美元。
”通过增加产量和搬到更大的晶片格式,Cree公司领导的努力显著降低生产成本的SiC MMICs军事应用以及离散SiC mesfet WiMax等商业应用,”约翰·w·Palmour指出,克里族的执行副总裁的先进设备。“克里族以前的工作在一个3英寸的SiC MMIC计划海军研究办公室,宣布在2002年推出了世界上第一个SiC MMIC铸造服务,现已被多个国防承包商宽的带宽高功率放大器的实现。”
新合同将建立克里族最近展示了成功的在100毫米高纯度半SiC基质为国防高级研究计划局的宽禁带半导体技术倡议。