2005年9月15日
东芝公司今天宣布开发氮化炮（GAN）动力场效应晶体管（FET），该晶体管（FET）远远超过了在陆地和卫星微波通信中广泛使用的艾森尼（GAAS）FET的操作性。新的晶体管在6GHz时实现了174W的输出功率，这是该频率下报告的最高水平。
东芝通过优化了6GHz波段操作的外延和芯片结构，并采用四芯片组合结构来最大程度地减少热量积聚，从而意识到了这种突破性的增强。结果是GAAS FET的功率密度和全球最高输出功率在6GHz频率水平上的功率密度的八倍。
在证明了设计概念之后，东芝将继续改进该技术，以明年的样本发行目标。预计新FET将成为微波通信中的关键组成部分。
新的GAN POWER FET及其技术的完整详细信息将在9月12日至15日在日本科比举行的国际固态设备和材料会议（SSDM）会议上介绍。欧洲杯足球竞彩