Microsemi推出了邻近的二极管桥MOSFET的全桥整流器

Microsemi公司是半导体解决方案的领先供应商,在功率、安全性、可靠性和性能方面有很大的不同,今天宣布了其新的PD70224 IdealPoE™二极管桥,一种基于mosfet的全桥整流器的双封装。

该设备的低RDS 0.16Ohm N沟道MOSFET允许更高的总效率和更高的输出功率,特别是当在通信中供电设备和电源支持的电源设备时和企业市场,包括无线LAN接入点,小型电池和小型开关/路由器。与目前市场上的类似解决方案不同,这种高度集成的装置消除了添加额外的外部组件,例如控制器和场效应晶体管(FET),降低整体系统成本以及董事会房地产。

“在需要高效或高功率的POE和POH供电的解决方案中,系统设计人员使用使用离散组件来实现其设计。现在,新的EvalidPoe二极管桥PD70224实现了输入功率器件PoE桥,提供了集成的SicroSemi的Poe产品线经理Iris Shuker表示,该解决方案是市场上独特的,提供了最佳的性能。“这种高度集成的解决方案耗费较少的电源,简化了客户的设计并节省了印刷电路板空间。”

MicroSemi的PD70224可以支持超过1放大器(a)的电流,使其不仅适用于符合IEEE802.3af和IEEE802.3AT的现代节能双对应用,还可以使用通用PoE的四对供电设备(最多51瓦)和POH(高达95瓦)。用于驱动MOSFET的整个驱动电路是片上的,包括用于驱动高侧N沟道MOSFET的电荷泵。与通常呈现2,000mV的正向下降的标准桥式整流器相比,由理想的桥式整流器引入的总前进液滴(桥偏移)仅为192毫伏(MV)。

其他产品功能包括:

  • 为PoE应用设计
  • mosfet的独立驱动电路
  • 集成0.16欧姆n通道mosfet为0.3欧姆总路径电阻
  • “功率存在”指示信号,用于识别四对电桥功率
  • 在检测期间,低于12微安培UA的低泄漏
  • 宽的工作电压范围高达57伏特
  • -40°C至+85°C环境
  • 可在40针包
  • 通过无铅认证

样品和批量生产可用性
Microsemi的新型PD70224理想二极管桥器件正在抽样,本月开始量产。欲了解更多信息或获取样品,请联系当地经销商或Microsemi销售代表,或发送电子邮件[电子邮件受保护]并在主题行中键入“pd70224”。

关于Microsemi
Microsemi Corporation(纳斯达克代码:MSCC)为通信、国防和安全、航空航天和工业市场提供全面的半导体和系统解决方案组合。产品包括高性能和抗辐射模拟混合信号集成电路、fpga、soc和asic;电源管理产品;定时和语音处理设备;射频解决方案;离散的组件;安全技术和可扩展的防篡改产品;以太网电源ic和中跨;以及定制设计功能和服务。Microsemi总部位于加利福尼亚州的Aliso Viejo,在全球拥有约3000名员工。 Learn more atwww.microsemi.com

Microsemi和Microsemi标志是Microsemi公司和/或其附属公司的注册商标或服务标志。本协议中提及的第三方商标和服务商标为其各自所有人的财产。

来源:http://www.microsemi.com/

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