2005年9月15日
三井化学公司(MCI)今天宣布开发高折射率的液体(Delphi)的下一代浸lithography1照相平版印刷的processing2半导体制造。评估半导体前沿技术,Inc.3 (Selete)证实,Delphi支持32纳米线的分辨率和空间(L / S)。这个评估的细节将会同Selete第二浸没式光刻技术国际研讨会,今天开始在比利时。
今天,130 nm半导体器件是主流,与90 nm设备的前沿。然而,甚至研发继续细线。一般据说细线为更强大的半导体和更小的电子设备。例如,32纳米光刻技术将使可能的32 g动态随机存取memory4内存(DRAM) 16倍主流五月份DRAM生产使用130 nm设计规则。
在开发下一代浸没式光刻技术,大多数公司在业界正致力于设计规则从65 nm 45 nm制程用水,它提供了一种折射率为1.44。德尔福,循环烃化合物,比水提供了一个更高的折射率为1.63,从而促进32纳米半导体器件。
在新中期事业计划,覆盖2005财年和2008财年之间,MCI旨在扩大和增长领域的性能材料,包括功能性聚合物,信息和电子材料和医疗材料。欧洲杯足球竞彩特别是信息和电子材料集中在形成和扩大集群的各种新产品,以增加现有核心产品的阵容。欧洲杯足球竞彩MCI因此旨在使Delphi商业上可行的新型半导体材料。
1。技术,扩大孔径的透镜光刻机来实现高分辨率代替空气折射率较高的浸泡液和镜头之间的晶片。这取代了以前的方法缩短一个argon-fluoride准分子激光器发出的光的波长。第一代开发正在进行技术使用水的折射率为1.44,提高半导体制造使用45 nm制程设计规则的前景。
2。印记模式到集成电路(IC)芯片包括一个四个步骤的过程:光刻胶涂层,曝光,发展,和腐蚀。有两种类型的光阻,光敏聚合物:一个暴露的地区仍然作为一个模式和接触的其他区域删除。在接触阶段,一个图像的电路模式转移到晶片使用光刻机发出激光或其他类型的光。发展中解决方案是最后滴落在晶片催化光化学反应。最后,晶片被喷洒一种腐蚀气体或沉浸在一个蚀刻溶液,保存或溶解晶圆的面积发生光化学反应,因此创建一个电路模式。
3所示。成立于1996年以同样的资本投资于10半导体制造商。巨大的新的超级干净的房间设施(国家先进工业科学技术)筑波市Selete开发尖端下一代半导体技术进行研发活动。欧洲杯线上买球(http://www.selete.co.jp)
4所示。半导体存储器和类型的随机存取存储器(RAM),可以用于快速访问和存储数据。DRAM是最常见的内存用于电脑由于其电路相对简单,堆积,和较低的价格。