2005年9月20
克里族近日，美国空军研究实验室(AFRL)授予美国国防部第三项目一份价值1500万美元的合同。根据新的五年合同，Cree将专注于推进碳化硅(SiC)微波单片集成电路(MMIC)处理技术，将SiC MMIC的生产过渡到100毫米(4英寸)基片，并降低每块芯片的成本。这些mmic可以显著增强下一代军事雷达系统的信息收集能力。克里将为该项目提供470万美元的额外资金，总项目资金为1970万美元。
Cree高级器件执行副总裁John W. Palmour指出:“通过提高产量和转向更大的晶圆格式，Cree正在努力显著降低军事应用的SiC mmic和商业应用(如WiMax)的分立SiC mesfet的生产成本。”“Cree之前为海军研究办公室进行的3英寸SiC MMIC项目的工作于2002年宣布，导致了世界上第一个SiC MMIC铸造服务的推出，该服务现在被多个国防承包商用于实现宽带高功率放大器。”
该新合同将建立在Cree公司最近为国防高级研究计划局的宽带隙半导体技术计划成功研制100毫米高纯半绝缘SiC衬底的基础上。
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