Sentech仪器已经开发了高级PTSA（平面三螺旋天线）电感耦合等离子体源，该等离子体源提供了ICP等离子体蚀刻器中使用的核心等离子体技术，用于低损伤和高速率蚀刻，并在ICPECVD低温沉积系统中使用。
Erlangen中的Senechs Si 500 d
直到最近，Sentech仪器才通过ALD和等离子体增强的ALD系统扩展了其ICPECVD处理，以便能够沉积高度保形和密集的薄金属氧化物和金属层。
Erlangen的Fraunhofer集成系统和设备技术研究所（Fraunhofer IISB）购买了一种灵活的，多功能的，多功能的，自动的Sentech ICPECVD系统，以处理诸如不同直径，薄wafers和厚wafers的Si Wafers之类的盒式盒子中相当大的基质，。
计算机控制的沉积系统是一个真空盒式装载站，一个4端口真空传输室和一个SI 500 D ICP沉积模块，留下2个端口，可用于将来的扩展。各种各样的底物类型是一个真正的挑战，因为它需要特殊的盒式盒子和载体系统。
此外，保证的过程不仅包括氧化硅和氮化硅和氧气层的沉积，而且包括低温（例如130°C）的沉积高质量Teos-Sio2。因此，SI 500 D ICP模块通过TEOS盒扩展了液体前体。
此外，设置沉积簇还可以沉积p-和n型掺杂的薄αSI层。
ICPECVD系统SI 500 D提供沉积，即使在低温小于100°C的情况下，也具有高质量薄膜的低损伤涂层。Fraunhofer IISB的Si 500 d允许沉积SiO2，Si3n4，SIC，掺杂和未含量的无定形硅膜。通过在标准系统配置中实现额外的液体TEOS前体供应系统，基于低温TEOS SIO2膜的沉积成功设置了。
SI 500 D被购买了由Anton Bauer博士领导的技术部门的科学开发和扩展涂料技术服务。引用鲍尔博士；“ Fraunhofer IISB对快速有效的设置工作，系统的较大功能以及SI 500 D血浆沉积系统的技术结果非常满意。”
尤其是基于TEOS的SIO2的新的低温沉积是该部门工作的很高进步。Fraunhofer IISB已同意将来与SENTECH工具在ICP沉积技术方面进行密切的技术合作。
Sentech Instruments是用于蚀刻和沉积的等离子过程技术设备的领先供应商，以及基于椭圆测量法的薄膜计量仪器。2020欧洲杯下注官网