Dow Corning是硅和宽带隙半导体技术的全球领导者，今天通过引入产品分级结构来为碳化硅（SiC）晶体质量的高等工业标准，该结构指定了对杀手装置缺陷的接地新公差，例如微量皮脂脱位（MPD），穿线螺旋脱位（TSD）和基底平面脱位（BPD）。
这种开创性的新分级结构旨在优化下一代电力电子设备设计的范围，性能和成本，在康宁的高品质效率为100毫米SIC晶片的高品质级产品组合上制造的，该公司现在提供三个新的制造业- 质量基材标有素质标准，Prime选择和素质超。
“作为先进的碳化硅材料的全球技术领导者，道康宁认识到广泛的带隙半导体技术必须单独提供高度高的质量 - 它必须提供出色的欧洲杯足球竞彩总体价值，”首席技术官，道康宁首席技术官Gregg Zank说。“另一个道康宁工业首先，我们的新款SIC晶圆分级结构符合这一需求。这是我们与全球领先的电力电子设备制造商密切合作的直接结果，并旨在帮助他们迅速实现他们需要快速实现的目标以最佳的价格点发展设计目标。“
在Dow Corning的新产品分级结构下的每个连续的主要级晶圆层提供更严格的缺陷密度和其他关键性能特性，这使得客户可以精确地平衡晶片质量和价格，具体取决于其特定设备应用的需求。虽然许多SiC衬底制造商承诺低微量皮层密度，但Dow Corning是第一个指定其他杀手缺陷的低公差，例如TSD和BPD。这种缺陷降低了装置产量，并抑制了具有更高电流额定值的大面积，下一代电力电子设备的成本效益。
来自Dow Corning的所有100毫米的主要SiC晶片提供始终如一的优异的机械特性，以确保与现有和开发的设备制造过程的兼容性。Prime级产品组合包括：
- Prime标准SiC晶片，保证MPD为0.5 cm-2或更低，在设计更简单的SIC电源电子元件时提供有吸引力的平衡性能和成本，例如肖特基或结屏障肖特基二极管，低至中等电流额定值。
- Prime选择SiC晶片，可为MPD（≤0.2cm-2）和BPD（≤800cm-2）提供更严格的公差，使其适用于更高的苛刻的SIC器件，如PIN二极管或开关。
- Prime Ultra SiC晶片能够设计需要最高水晶质量的高功率器件。该层中的SiC基板可提供极低的MPD（≤0.1cm-2），BPD（≤500cm-2），TSD（≤300cm-2）和拧紧的晶片电阻率分布，用于当今最先进的SIC电源电子设备。这些包括像金属氧化物 - 半导体场效应晶体管（MOSFET），结栅极场效应晶体管（JFET），绝缘栅双极晶体管（IGBT）和双极结晶体管（BJT）或引脚二极管等下一代切换装置。此外，该层中的优异基板质量可以利用高压（3.3kV和更高）和高电流设备设计。
“定义每个等级的水晶质量的精确公差与道康宁的高竞争性定价结构相结合，反映了该公司对硅半导体市场竞争需求的深入熟悉，”唐康吴康宁副总裁唐勇吴说。“很少有竞争对手可以在硅材料中带来Dow Corning的技术卓越，应用专业知识和协作创新，并将其应用于下一代化合物半导体技术的发展。随着这一新晶圆分级结构的推出，我们的目标是提供SIC欧洲杯足球竞彩提供硅状质量的基板，使全球客户能够在快速增长的电力电子行业中竞争和成功。“
Prime标准，100毫米SiC晶片的Prime Select和Prime超级等级可在全球范围内从Dow Corning进行标准生产中的开发和取样。要了解更多信息，请访问我们http://www.dowcorning.com/content/compsemi/compsemi_products.asp.。
来源：http://www.dowcorning.com/