2005年10月20日
中国科学院半导体研究所（ISCAS）的研究人员在新一代砷化镓基长波激光装置的研究方面取得了重大进展。最近，他们研制出了世界上第一台1.586μm GaInNaSb/GaAs/GaAs单量子阱半导体激光器，其工作模式为室温连续波。
近年来，随着internet数据信息处理量的迅速发展，对高速大容量光纤通信网络的需求急剧增加。与市场上现有的InP基激光器件相比，GaAs基近红外材料具有更低的成本、更好的特性温度、稳定的性能和更简单的光子集成。因此，它们成为开发新一代多用途光电器件的理想选择。然而，由于生长这些高氮含量的高应变亚稳合金时产生了大量缺陷，因此将GaInNAs（Sb）扩展到1.4μm以上已成为一项具有挑战性的任务。欧洲杯足球竞彩
通过支持若干国家和CAS S＆T计划的支持，由NIU Zhichuan博士的联合研究小组在国家实验室进行了超晶格和微观结构，并为ISCAS附属的集成光电子的国家重点实验室成功开发了GAINAS（SB）/ GANAS / GAAs量子阱在室温下连续波操作下的1.586μm发射激光二极管。
研究人员开始了成功开发1.3μm GaInNAs/GaAs量子阱的工作，该量子阱采用分子束外延技术生长。通过优化氮掺杂量，引入Sb元素和GaNAs重叠层，GaInNAsSb/GaNAs/GaAs量子阱的发射波长扩展到1.586μm。同时进行了退火处理，使量子阱的晶体质量大大提高，达到了制作半导体激光器的技术要求。
这是首次报道在室温下连续波工作的GaAs基激光二极管，其激光波长超过1.55μm。其阈值电流密度小于2.6kA/cm2，输出功率大于30mw等性能优于国际上报道的GaAs基1.5μm器件的研究结果。这一成功证明了GaAs基长波器件在1.2～1.6μm波段全面应用的可行性，为其在光通信领域的应用和产业化提供了广阔的前景。
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