中国专家Enkris半导体制造公司已经成功地证明了高压氮化镓HEMT(高电子迁移率晶体管)结构与一个200毫米硅(GaN-on-Si)德国爱思强公司股价工具。
GaN-on-Si电力设备吸引了学术界和工业的关注最近在电力电子由于其潜在的应用。由于异质外延生长在硅氮化镓层的缺陷性质,GaN-on-Si电力设备遭受高缓冲泄漏。
最近,Enkris半导体生产高压氮化镓HEMT材料200毫米硅具有优良的均匀性和低缓冲漏结合优秀没有边缘排除厚度均匀度< 0.5%。欧洲杯足球竞彩在特殊条件下均匀值可以进一步提高。
“甘广泛接受,大尺寸硅基板是最具成本效益的方式实现大批量生产的氮化镓功率设备。然而,大晶片蝴蝶结加上高缓冲泄漏阻碍了GaN-on-Si技术的进一步发展。我们的流程在200毫米硅基板上显示高击穿电压(低于1600 V)较低的氮化镓功率设备泄漏目前可以实现4μm相对较薄的缓冲层。他们简化增长过程,减少晶片弓和显著减少epi-cost。根据我们的流程,应用于一个德国爱思强公司股价系统,GaN-on-Si电力设备可能达到更高的电压在不久的将来,“程Kai博士评论Enkris创始人之一。
副总裁弗兰克博士Wischmeyer电力电子在德国爱思强公司股价,说:“Enkris
非凡的成功实现优秀层质量和材料属性显示
为高压氮化镓HEMT应用我们的技术能力。我们的金属
技术是实现大直径宽禁带半导体的集成
硅基板。德国爱思强公司股价致力于支持电力电子行业吗
朝着大容量200毫米GaN-on-Si设备制造业。”