这是“纤锌矿”砷化镓纳米线在钻石砧室高压腔内的显微照片，保持在正常大气压(10吉帕斯卡)的99,000倍;488 nm激光光斑(直径约4µm)上出现蓝色光斑。信贷:魏周
一组研究人员分析了一种砷化镓(GaAs)调谐的新方法。这种材料具有天然的半导体性能。纳米粒子和纳米线形式的砷化镓可用于硅目前正在使用的应用，如光电子和太阳能电池的制造。
然而，还有一些障碍，为了增加砷化镓的广泛应用的吸引力，它需要一些调整。当对半导体材料施加一定量的能量时，其束缚的电子会移动到导电态，增加其导电性。诱导电子移动到高能量状态所需的能量量称为“带隙”，微调这个带隙有很多好处。
研究团队使用非常高的压力来调整带隙。该高压改性砷化镓的电子载体性质。在早期的研究中，研究人员使用了用“Zincblende”结构由砷化镓制成的纳米线，发现在施加压力下，带隙加宽。在本研究中，研究团队使用纳米线具有“卧翼”结构。在金刚石砧座细胞中施加23gPa的高压。发现带隙的加宽远小于使用“锌苄丁酯”晶纳米线时。在21GPa的压力下，“紫立塔”砷化镓纳米线发生结构变化。诱导新的“正交”相位，这可以为材料提供金属电子性质。
该研究表明，当两种砷化镓结构类型可能被用于单个器件时，它可能有助于开发更有用的电子功能。
卡耐基大学的Alexander Goncharov领导了该研究团队，团队成员包括华南理工大学的张建波，以及中国科学院的周伟、王玉琦、李新华和陈晓佳。欧洲杯线上买球这项研究发表在《科学报告》上。
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