2005年11月10日
人们对非晶态碳(A - c)的物理性质进行了大量的研究。这些研究发现，不同碳相的相对比例强烈地决定了材料的物理性能。
B. Rebollo-Plata, R. lozata - morales, R. Palomino-Merino, J. A. Dávila-PintLe, O. Portillo-Moreno, O. Zelaya-Angel和S. Jiménez-Sandoval from Benemérita Universidad Autónoma de Puebla，在AZojomo发表的这项工作中，研究了电子枪蒸发(EGE)生长的a-C薄膜。目前使用EGE技术生长a- c薄膜的工作有限，而且随着人们对碳基纳米技术的兴趣日益浓厚，研究人员认为在这个方向拓宽知识是很重要的。
在生长过程中变化的主要实验参数是源-基底距离(SSD)，并研究了振动模式、暗电导率和多数载流子浓度等物理性质的重要变化。
研究发现，随着SSD的改变，随着碳膜组成的改变，样品的电导率也发生了显著的变化。在15.5 cm的SSD环境下生长的a- c:N样品的电导率比其他样品高约3个数量级。然而，对于使用23.5cm SSD的薄膜，电导率下降了近7个数量级。
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