2015年8月11日
去年，一个多学科研究小组开发出了一种制造纯双钼酰脲(MoTe2)的技术。该团队不仅成功地开发了纯MoTe2，还能够获得两种品种-半导体和金属。
用激光照射将2H-MOTE2转换为1T'-MOTE2的过程的模拟
半导体类型被称为2H-MoTe2 (2H是因为它的六边形形状)，金属类型被称为1T'-MoTe2 (1T '因为它有一个八面体形状)。这两种品种在室温下均表现出稳定性。
研究小组的组长是李英熙韩国基础科学研究所(IBS)综合纳米结构物理中心欧洲杯线上买球在Sungkyunkwan大学（Skku）。
以其最纯的形式，MoTe2可以作为晶体管应用。它的原子结构是一个钼原子对应两个碲原子[HY1]。该化合物最初是在20世纪60年代使用一系列制造技术创造出来的。然而，直到去年，这种化合物还不够纯，不能用于电子应用。
用纯粹形式制作Mote2非常具有挑战性。一些研究人员认为该化合物作为过渡金属二甲硅藻（TMD）组的黑绵，并忽略了忽略。TMD分子可以开发为超薄材料，其由几个原子层组成。它们还具有带隙，使它们适合于制造诸如晶体管的电子元件。
TMD晶体采用的格式是MX2格式 - 它具有由M和两种由X2表示的两种硫属元素化物表示的过渡金属。过渡金属包括钨，钼等，硫属化物包括硫，硒等。一种金属和两种硫属元素化物产生薄的分子三明治。这些原子能够基于其制造技术存在于不同形状的原子结构中。
目前电子学中的大量微芯片都是用硅制成的，而且工作得很好。然而，设备尺寸的缩小，增加了对这些设备背后的逻辑芯片尺寸的需求。当把芯片缩小到一个或几个原子的厚度时，通常被称为二维，硅不能像三维或三维尺度那样完美地工作。
利用刻度接近2D，硅的频带隙存在变化，其比其3D形式更多。由硅金属连接制成的接触点不够平滑，以便在电路中有效使用。
这是使用新颖和异国情调的TMD材料的理想机会。欧洲杯足球竞彩IBS研究人员能够成功地使用两个Mote2版本，并创建具有半导体2H-Mote2和金属1T'-Mote2的单个2D晶体。由于存在在边界处的所谓的欧姆同源结的存在，该结构比硅和其他2D半导体更好，其中半导体Mote2与金属Mote2相遇。
这是在单个材料中的两个不同结构相之间的连接处产生的连接。虽然Mote2具有两种不同的状态 - 金属和半导体，但该团队可以形成欧姆交界处，从而实现非常艰难的连接。
为了实现这一目标，团队使用了纯2h-mote2，其厚度为几个原子。在2H-Mote2上聚焦1μm宽的激光，其在局部加热样品并将受冲击区域改性为1T'-Mote2。要了解所涉及的激光的尺寸，人毛厚度为17至181μm厚。研究人员使用该技术开发晶体管，其组合了1T'-Mote2的高导电率和2H-Mote2材料的半导体。
与之前阻碍工程师和科学家的挑战相比，这是一个非常聪明的解决方案。在金属-半导体结和器件通道中使用单一材料时，该器件也是节能的。这是因为在两个MoTe2相之间有一个无缝融合，导致在接头的欧姆接触。由于1T ' -MoTe2具有良好的导电性，因此可以直接将金属电极应用到其上，从而节省了设计合适金属引线的工作。这种新型的制造方法是一种利用现有的MoTe2而不产生多余或浪费零件的极好方法。
对此，首尔大学教授梁熙俊(音)回答说:“这一技术的应用前景如何?“2D半导体有许多候选者，但是Mote2具有围绕1EV的带隙，其类似于硅的频带隙，并且它允许在半导体 - 金属连接处的欧姆同质结合。”
因此，可以用MoTe2替代硅，而不需要显著改变目前硅技术中使用的现有电压配置。随着人们对更小、更轻、更节能材料的需求不断增加，双相MoTe2晶体管在新型电子器件中有着广阔的应用前景。欧洲杯足球竞彩