关西学院大学位于日本西宫市和山田市的兵库县。
日本关西学院大学科学技术学院纳米技术可持续能源系教授Noboru Ohtani和他的Renishaw inVia Raman显微镜。欧洲杯线上买球
Noboru Ohtani教授是科学技术学院可持续能源纳米技术系的成员。欧洲杯线上买球他的主要研究领域是宽带隙半导体和晶体缺陷研究。
4H-SIC外延晶片中的晶体缺陷，例如位错和堆叠故障，限制SiC器件的商业化，因此必须消除或减少到低于某种临界密度的水平。该部门的研究目标是建立可以生产大型超高品质的SIC外延晶片的SIC晶体增长过程。为实现这一目标，他们试图阐明SiC散装晶体和外延膜中的晶体缺陷的原因和形成机制。
晶体缺陷引起晶体中的残余应力。在4H-SiC晶体中，应力可以通过各种机制发生。例如，生长晶体中的温度梯度是晶体生长的主要驱动力，在生长和/或冷却过程中导致晶体的塑性变形。当晶体冷却到室温时，这种变形导致残余应力。
晶体中应力的空间变化可以用雷尼绍氏共焦拉曼显微镜．这些测量提供了关于物理蒸汽传输(PVT)生长和化学蒸汽沉积(CVD)过程中缺陷形成的有价值的信息。这些信息被用来改进晶体的生长过程。
大谷教授的实验室还使用高分辨率x射线衍射(HRXRD)来表征应力分布。拉曼显微镜提供了与HRXRD数据互补的信息，但具有更高的空间分辨率。当被问及为什么实验室选择inVia时，Ohtani教授说:“关键的好处是超高速数据采集系统，与其他拉曼系统相比，它在测量材料中的应力方面具有更高的灵敏度。”欧洲杯足球竞彩
大谷教授和他的同事最近发表了一篇论文欧洲杯足球竞彩材料科学论坛欧洲杯线上买球描述了“4H-SiC晶体物理蒸汽传输生长初始阶段的结构和电特性”。1它说明了微拉曼成像的力量，以帮助展示重掺杂的氮供应体对SiC晶体缺陷形成的影响。
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参考
4H-SIC晶体物理蒸汽输送生长初始阶段的结构和电学特性，材料科学论坛Vols 821-823（2015）PP 90-95。欧洲杯足球竞彩欧洲杯线上买球www.scientific.net/msf.821-823.90T Takahashi等。
关于英国
英国是一家以测量、运动控制、增材制造和精密加工为核心技能的全球性公司。公司还专门生产高质量的光谱学产品，是拉曼光谱领域公认的领导者。雷尼绍光谱产品部的科学家和工程师团队专注于高性能、可配置的拉曼光谱仪的开发、应用和生产。