2005年12月2
海特公司,开发和生产用于高性能电子和光电半导体器件的单晶氮化铝(AIN)基板的公司今天宣布已完成890万美元的融资。
位于达勒姆的Intersouth Partners领投了890万美元的A轮融资，h.i.g Ventures、Sevin Rosen Funds和NC IDEA参与了融资。这是该公司首次外部融资，将用于推进产品开发，扩大营销力度，建立公司的管理团队。h.i.g Ventures的Craig Burson、Intersouth Partners的John Glushik和Sevin Rosen Funds的Dave McLean将加入该公司董事会。
Intersouth Partners的约翰•格鲁希克(John Glushik)表示:“这家投资集团对与HexaTech合作感到非常兴奋。”“创始人是公认的宽带隙半导体和晶体生长技术专家。市场已经准备好迎接新一代的先进半导体器件。”
HexaTech开发了一种用于制造单晶AIN衬底的专利生长工艺，该工艺的使用将使制造具有卓越性能和器件寿命的精密、下一代电子和光电器件成为可能。该公司成立于2001年，技术基础是北卡罗来纳州立大学材料科学系开发的。欧洲杯足球竞彩欧洲杯线上买球该技术是由该公司的联合创始人Zlatko Sitar博士和Raoul Schlesser博士在过去八年中开发的。
HexaTech公司总裁兼首席技术官Zlatko Sitar表示:“天然基质对于iii -氮化物技术的未来发展至关重要。“我们对这个机会感到非常兴奋，因为它将使我们加速扩大我们的AlN晶圆的商业可行尺寸，显著提高我们的晶圆生产能力，使我们能够开发新的设备和战略伙伴关系。”
由于其紧密的晶格和热匹配、高导热性和宽带隙，AIN是一种很有吸引力的iii -氮化物器件衬底。这些特性使得在非常高的电流水平、高电压、高温和高频率下操作设备成为可能。
HexaTech晶圆可应用于各种基于AIGaN合金的半导体器件。HexaTech专有的生长工艺将使AIN基底具有非常低的位错密度和高的整体质量。