在本周的IEEE IEDM会议,电子学研究中心imec首次显示集成的高机动性InGaAs作为3 d通道材料垂直NAND内存设备插头(孔)中形成直径45纳米。新通道材料改善跨导(g米)和读取当前这是至关重要的,使进一步VNAND降低成本通过添加额外的3 d层垂直结构。
非易失性3 d NAND闪存技术用于克服传统平面NAND闪存技术的扩展问题,患有严重的细胞,细胞干扰和噪音由于阅读积极扩展维度。然而,目前3 d NAND闪存设备,文章频道,特点是驱动电流,将线性减少记忆层的数量,这是不可持续的长期扩展。这是因为在成功地传导通道材料是由粒度分布和受散射在晶界和缺陷。
提高驱动电流的通道,imec取代了文章通道材料通过一个门与InGaAs第一频道最后的方法。通道是由金属有机气相外延(MOVPE)显示好III-V增长选择性填充属性到45纳米硅和漏洞。结果III-V设备被证明比文章设备开态电流(I在)和跨导(g米),没有退化内存特性如编程、擦除和耐力。
“我们非常满意这些结果,因为它们提供的关键知识与III-V通道闪存操作以及III-V接口的内存堆栈,”声明一个Steegen,高级副总裁在imec工艺。“虽然这些结果充分显示频道,它们是一个重要的垫脚石开发industry-compatible macaroni-type三世V频道。”
Imec的研究先进的内存执行与Imec的关键合作伙伴在其核心CMOS程序包括三星,Micron-Intel, Toshiba-Sandisk, SK海力士,台积电,GlobalFoundries。
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