在上周的IEEE国际电子设备会议2015年，世界领先的纳米电子研究中心IMEC.提出了三种新型铝镓（AlGaN）/氮化镓（GaN）堆叠，具有优化的低分散缓冲区设计。
此外，IMEC在200mm硅晶片上优化了外延P-GaN生长过程，实现了以超出最先进的高阈值电压（VT）和高驱动电流（ID）的电子模式器件。
为了在AlGaN / GaN-On-Silicon（Si）器件中实现良好的，电流折叠设备操作，必须保持分散体最小。已知在GaN基通道和硅衬底之间的缓冲器中的被捕获的电荷是引起分散的关键因素。
IMEC比较了不同类型缓冲液对色散和优化三种类型的影响：经典的阶梯分级缓冲液，具有低温ALN中间层的缓冲器，以及超格子缓冲液。通过宽温度范围和偏置条件优化这三种类型的缓冲液以进行低分散，泄漏和击穿电压。
IMEC还优化了外延P-GaN生长过程，证明了P-GaN Hemts的改善的电气性能，实现了高阈值电压，低导通电流和高驱动电流（VT> 2V，R的最先进的组合在10 V）=7Ω.mm和id> 0.4 a / mm）。P-GaN HEMT结果表现优于他们的Mishemt同行。
IMEC的GAN-ON-SI研发计划旨在为工业化提供这项技术。IMEC的产品包括完整的200毫米CMOS兼容200 V GAN工艺生产线，在电子模式设备上具有优异规格。IMEC的计划允许合作伙伴早日访问下一代设备和电力电子流程，设备和技术，并以共享成本加快创新。2020欧洲杯下注官网
目前的研发专注于提高IMEC的电子模式设备的性能和可靠性，同时通过基板技术的创新，更高的集成和探索新颖的设备架构的界限并行推动技术的边界。
“IMEC上周在着名的IEDM会议上的演讲是我们200毫米Gan-On-Silicon平台的能力，复杂性和成熟度的证明，“IMEC智能系统和能源技术执行副总裁Rudi Cartuyvels表示。
“建立在此成功之上，我们现在正在与我们的GaN合作伙伴合作，实施和转移特定的设备自定义。并行地，我们正在探索替代基板技术，以进一步推动GaN技术的边界。“