2016年4月7日
概念性插件说明晶体阵列缺陷可如何促进非辐射重编电子和LED孔照片感想:PeterAllen插图
UCSB研究人员使用现代理论方法检测阻碍发光二极管性能的具体缺陷LED原子结构中存在的缺陷特征可开发长效高效LED照明
欧洲杯足球竞彩技术可用于评估LED材料中是否存在缺陷,并可用于提高材料质量
欧洲杯足球竞彩Chris VandeWalle材料教授UCSB
目前并非所有LED都相似,因为高效率固态照明量丰盛技术应用范围复杂,效率和可靠性意义重大这些应用包括安全照明、净水和搜救技术还具有装饰性、工业和住宅应用性能主要取决于半导体材料原子级的质量
LED中电子从一面注入,从二面插入孔
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半导体晶状网状-在此例中以氮基材-孔电子相遇对二极管释放光源负责这次会议移向低能状态,在此过程期间还发布光子
然而,有时充电载波相遇但不发光,导致Shockley-Read-Hall重编研究者强调充电载波因拉特斯现有缺陷被查封,不发光即相遇
识别缺陷复杂化缺液和氧
先前在硝化半导体中观察到过这些缺陷,但直到现在仍未理解它们的有害影响首席作者Cyrus Dreyer在论文上多次计算
结合直觉, 多年来我们研究点缺陷 和这些新理论能力 实现这一突破
欧洲杯足球竞彩Chris VandeWalle材料教授UCSB
VandeWalle信用共写Audrius Alkauskas开发理论形式学,这对于判定缺陷抓洞电子速率至关重要。
VandeWalle表示,技术为未来研究铺路,重点是检测SRH重组的其他机制与缺陷
空缺综合体肯定不是唯一有害缺陷方法到位后,我们正在积极调查其他潜在缺陷以评估其对非辐射再组合的影响
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论文发布于4月4日应用物理字母杂志上,
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