Aixtron的生产技术集成了IMEC的专有材料技术，以提高基于gan-on-si的电源设备的性能。欧洲杯足球竞彩
Aixtron SE是半导体行业的全球领先的沉积设备提供商，今天宣布其G5+ C Multi-Wafer批次M2020欧洲杯下注官网OCVD平台有资格用于制造特定的缓冲层，这是由于高压氮化胆管（Nitride（Nitride）的合作而导致的GAN）比利时纳米电子研究中心的电力设备技术IMEC（国际微电子中心）。
最近，Aixtron和IMEC都获得了Aixtron的G5+ C和IMEC GAN-ON-SI SI材料开发的“大量制造”类别的享有声望的2016 CS行业奖。欧洲杯足球竞彩在结合其专业知识的过程中，Aixtron加入了IMEC的高功率Gan-On-Si设备技术的工业隶属关系计划。在该程序的框架内，Aixtron的5x200 mm G5+ MOCVD平台有资格将IMEC专有的高压分散剂免费缓冲技术集成到5x200 mm G5+ MOCVD平台。该目标已在很短的时间段内达到，并展示了AIX G5+ C系统的高度技术准备。
我们很高兴地宣布，在我们的G5+ C高容量制造平台上，IMEC的专有200毫米GAN-ON-SI材料技术成功获得了资格。欧洲杯足球竞彩这项成就主要基于IMEC和AIXTRON的外部保学团队快速实施合格层过程的投资组合，建立了靶向高压开关应用程序的复杂的外延材料堆栈。
Aixtron Power Electronics营销与业务开发副总裁Frank Wischmeyer博士
IMEC针对高性能和可靠的GAN电源设备，需要在设备和材料工程之间进行一致的努力。由于AIX G5+ C可以完全实现这一目标，因此我们对设备结构过程的快速传输到新平台感到满意。我们很高兴Aixtron是IMEC的GAN工业隶属关系计划的一部分，并期待成功合作的延续。
Rudi Cartuyvels - IMEC智能系统和能源技术高级副总裁
Aixtron的G5+ C是第一个完全自动化的GAN-ON-SI生产系统，其中包括盒式磁带到盒式磁带晶片加载系统和自动反应堆，原位清洁。在同一新闻稿时，行星批量AIX G5+ C系统显示出对层性质和最低粒子的最高均匀性控制。
基于Aixtron的合格MOCVD流程组合，适合Gan-On-Si Power Hemt行业的需求，典型的挑战，例如200 mm Si底物上Algan/GAN材料的应变工程，高质量的Aln Aln Nuctheation on Si底物上在与IMEC的合作中，可以成功解决高质量缓冲层的无坑生长。