这Hiden TPD工作站provides a versatile platform for precisely controlled thermal desorption studies(TDS) in the UHV pressure regime through a temperature range from 50ºC至1000ºC。
常见的应用包括对硅晶片和薄膜涂层的解吸研究，从金属中定量氢进化。
样品阶段的温度坡道以每分钟40oc的速率完全编程，并通过融合水冷却的热壳笼罩，以最大程度地减少饮食和样本之间的冷却速率。快速样品加载和提取是通过UHV负载锁和样品转移机制启用的，从而保持最佳的主要真空质量。样品，通常以晶圆形式接近1厘米。正方形，正面位于样品阶段，以确保与加热器表面有效的热接触。
四极质量光谱仪（也带有水冷夹克）安装在靠近样品表面的验收孔中，以最佳捕获进化的气体，300 AMU HIDEN 3F PIC系统具有快速的数字检测系统，具有7年的动态范围，用于进化峰值曲线的最佳定量。样品温度直接与TPDSOFT控制和采集程序合并，以合并了与温度的多个进化物种的结合呈现。
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