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Tescan宣布网络研讨会有关微电器设备的故障分析

Tescan很高兴邀请您参加网络研讨会。微电器设备的故障分析透明

在本网络研讨会中,他们使用独特的方法讨论了有关微电子设备的故障分析(FA)的最新成就。演示文稿分为两部分。第一部分将基于最先进的14 nm节点技术的集成电路(IC)的FA结果。

重点将放在使用燃气辅助XE等离子体fib蚀刻的良好控制的正交和平面IC延迟。在下一步中,tem板层用GA和XE等离子体FIB制备。将特别注意准备前后无伪影薄片。在第二部分中,我们将使用XE等离子体FIB介绍高级包装技术的FA结果。

将证明其尺寸超过100 µm的横截面将被证明,以强调使用专有摇摆阶段技术和特殊掩蔽方法来缓解FIB伪像。这些方法甚至可以处理最具挑战性的包装。

引用

请使用以下格式之一在您的论文,论文或报告中引用本文:

  • APA

    Tescan USA Inc ..(2019年2月8日)。Tescan宣布微电子设备故障分析的网络研讨会。azom。于2021年7月19日从//www.wireless-io.com/news.aspx?newsid=45532检索。

  • MLA

    Tescan USA Inc.。“ Tescan宣布微电子设备故障分析的网络研讨会”。azom。2021年7月19日。

  • 芝加哥

    Tescan USA Inc.。“ Tescan宣布微电子设备故障分析的网络研讨会”。azom。//www.wireless-io.com/news.aspx?newsid=45532。(2021年7月19日访问)。

  • 哈佛大学

    Tescan USA Inc. 2019。Tescan宣布网络研讨会有关微电器设备的故障分析。Azom,2021年7月19日,https://www.wireless-io.com/news.aspx?newsid=45532。

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